硒化锗晶体 GeSe (selêneto de germânio)
晶体尺寸：~10毫米
电学性能：半导体
晶体结构：斜方晶系
晶胞参数： a = 0,383 nm, b = 0,440 nm, c = 1,078 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型：合成
晶体纯度： ＞99.995%

Difração de raios-X em um único cristal GeSe alinhado ao longo do plano (100). A DRX foi realizada a temperatura ambiente usando um D8 Venture Bruker. Os 4 picos XRD correspondem, da esquerda para a direita, a (h00) com h = 2, 4, 6, 8

Difração de raios-X em pó (XRD) de um único cristal GeSe. A difração de raios-X foi realizada a temperatura ambiente usando um D8 Venture Bruker.

Análise estoquiométrica de um único cristal GeSe por espectroscopia de raios-X dispersiva de energia (EDX).

Espectro Raman de um único cristal GeSe. A medição foi realizada com um sistema Raman de 785 nm a temperatura ambiente.